企業情報

RAMXEED株式会社

電機・電子・精密機器・OA

RAMXEEDは、富士通株式会社の半導体事業部門を前身とし、
新たなメモリ技術でビジネス、マーケットをプロデュースする
エンジニア集団です。
「夢ある未来を、メモリの技術で叶える」をブランドスローガンに、
お客様やパートナーと共にワクワクする新しい価値の創造に
挑戦し続けます。

◆少しでもご興味をお持ちいただけましたら
　ぜひ「気になる！」ボタンを押してください！◆

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企業

- 「巨人」では見えない景色が、ここにある
  
  ～「一人のエンジニア」が、製品のすべてを見通す開発現場～
  
  メモリの「巨人」と呼ばれる大手メーカーでは、スケールの大きな開発が可能です。膨大なリソース、洗練されたプロセス、グローバルな市場。そこで得られる知見や技術の厚みは、業界を牽引する力となっています。
  
  一方、私たちRAMXEEDは、不揮発性RAMに特化した少数精鋭の開発型企業です。単体メモリの回路設計においては、アナログ／デジタル混載回路の設計から、特性評価、量産立ち上げまで、一人のエンジニアが一貫して関わる体制をとっています。分業ではなく、製品の全体像を俯瞰し、技術的な意思決定に深く関与できるのが私たちの開発スタイルです。
  
  たとえば、産業機器向けFeRAM製品では、低消費電力・高速性・高信頼性といった複雑な要件を満たすために、回路からシステムレベルまでを見通す視点が不可欠です。RAMXEEDでは、こうした最前線の設計現場に若手エンジニアが早くから加わり、実際に製品に反映される設計を担います。
  
  自分の技術で、製品が生まれる。その実感を、私たちと一緒に味わってみませんか？
  
  あなたの技術が主役になる場所が、ここにあります。
- 研究で終わらせない
  
  ～実際に社会で「使われる」材料を生み出す現場へ～
  
  私たちは長年にわたり、強誘電体キャパシタの材料開発に取り組んできました。目指してきたのは、特性が良いだけの材料ではなく、社会で「使われる」材料です。低電圧・低消費電力・高速動作の実現に向けて、強誘電体膜を薄くしながらも分極性能を引き出し、漏れ電流や耐久性といった課題を克服してきました。
  
  社会実装には、特性だけでなく、安定再現性と品質ばらつきの制御が不可欠です。私たちは膜厚や組成の微細な変動に着目し、プロセス条件の最適化や装置の高精度化、評価の自動化、統計的品質管理まで含めて、量産に耐える材料技術を確立してきました。
  
  こうして、自ら開発した材料でFeRAM製品を量産しています。FeRAM製造に胆となる材料・プロセス・装置を自社で改良し、装置メーカーとも連携することで、ファブレスでありながら安定した製品化を実現してきた独自の技術基盤があります。
  
  材料開発とは、失敗と試行錯誤の連続です。しかし、その先に、自分の作った材料が世の中で「使われる」という確かな手応えがあります。
  研究で終わらせず、製品化の現場で、技術が生きる瞬間を一緒に創りませんか？
- 身近なものから、宇宙の果てまで
  
  ～製品の広がりが、あなたの技術の可能性を広げる～
  
  半導体デバイスは世の中で多く使われながらも、通常は機器の中にあるので目に触れることはありません。ですがRAMXEEDには、まさに「目に触れる」製品があります。それはスマートコンタクトレンズのICです。これは私たちのアナログ回路技術(メモリだけじゃないんです！)をイロイロ盛り込んだ製品であり、各種センサーを繋げてエッジデバイスとしてデータ収集・処理を行うことが可能です(※1)。
  
  次に(距離的にも)身近なものでは補聴器、そして皆さんのお財布に入っているICカードがあります。特にICカードは1999年の量産当時から今まで長く続いている製品群で、中には20年以上のロングラン製品もあります。
  
  逆に用途の中で最も遠い場所はどこでしょう？それは宇宙です。FeRAMは原理的に放射線に強いという特長を持つため、データ保存用として人工衛星に搭載されたことがあります。
  過酷な環境下での使用のため事例は少ないですが、将来的には宇宙の果てまで旅することがあるかもしれません。
  
  良く使われる身近なものから宇宙まで、実は広い範囲で使われているRAMXEEDの半導体デバイス。
  あなたが開発してみたくなる製品が、きっとあります。
  
  ※1　https://www.ramxeed.com/jp/news-and-updates/4287/
  (スマートコンタクトレンズ用ICのプレスリリース)
- 未来を変えるメモリを、一緒に創りませんか
  
  ～「サクッ」と「タフ」で「エコ」なFeRAMの大容量化へ～
  
  今や私たちの生活は、DRAMやNANDといったメモリに支えられています。しかし、それぞれに課題もあります。DRAMは高速で高耐久ですが揮発性のため消費電力が大きく、NANDは不揮発で省エネですが書き換え耐久性や速度に制約があります。
  
  私たちは、これらの課題を同時に解決するメモリとして「FeRAM（強誘電体メモリ）」の開発・量産・販売を行っています。FeRAMは、「サクッ（高速）」「タフ（高耐久）」「エコ（省電力）」という理想的な特性を備えています。
  
  現在FeRAMの主流材料であるPZT（チタン酸ジルコン酸鉛）は高性能ながら、大容量化が難しいという課題があります。そこで私たちは、ロジックプロセスとの親和性が高く、大容量化に適したHZO（Hafnium Zirconium Oxide）を用いた次世代FeRAMの開発に取り組んでいます。HZO FeRAMの実現には、強誘電体の結晶材料工学、半導体プロセス、回路設計など幅広い知見が求められます。私たちは国内外の大学・研究機関・企業と連携し、その実用化をめざして研究・開発・量産技術の確立を進めています。
  
  AIやIoT社会を支える「未来のメモリ」。その誕生に、あなたの技術が必要です。
  私たちと一緒に、新しいスタンダードを創りませんか？

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